O efecto fotorrefractivo é a base das aplicacións ópticas holográficas, pero tamén trae problemas a outras aplicacións ópticas, polo que se prestou moita atención á mellora da resistencia fotorrefractiva do cristal de niobato de litio, entre os que a regulación do dopaxe é o método máis importante.En contraste co dopaxe fotorrefractivo, o dopaxe antifotorrefractivo utiliza elementos con valente non variable para reducir o centro fotorrefractivo.En 1980, informouse de que a resistencia fotorrefractiva do cristal de LN dopado con Mg de alta proporción aumenta en máis de 2 ordes de magnitude, o que chamou moita atención.En 1990, os investigadores descubriron que o LN dopado con zinc ten unha alta resistencia fotorrefractiva similar ao LN dopado con magnesio.Varios anos despois, descubriuse que o LN dopado con escandio e dopado con indio tamén tiña resistencia fotorrefractiva.

En 2000, Xu et al.descubriu que altoproporción Mdopado gLNcristal con alta resistencia fotorrefractiva en banda visible hasexcelente desempeño fotorrefractivo en banda UV.Este descubrimento rompeu a comprensión deoresistencia fotorrefractiva deLNcristal, e tamén encheu o espazo en branco de materiais fotorrefractivos aplicados en banda ultravioleta.A lonxitude de onda máis curta significa que o tamaño da reixa holográfica pode ser máis pequeno e fino, e pódese borrar e escribir dinámicamente na reixa mediante luz ultravioleta, e ler por luz vermella e luz verde, para realizar a aplicación da óptica holográfica dinámica. .Lamarque et al.adoptou o altoproporción Mdopado gLN cristal proporcionado pola Universidade de Nankai como fotorrefractivo UVmateriale realizou marcado láser bidimensional programable mediante amplificación de luz acoplada de dúas ondas.

Na fase inicial, os elementos dopantes antifotorrefractivos incluían elementos divalentes e trivalentes como magnesio, cinc, indio e escandio.En 2009, Kong et al.desenvolvido dopaxe antifotorrefractivo mediante tetraelementos valentes como hafnio, circonio e estaño.Cando se logra a mesma resistencia fotorrefractiva, en comparación cos elementos dopados divalentes e trivalentes, a cantidade de dopantes dos elementos tetradvalentes é menor, por exemplo, 4,0 % molar de hafnio e 6,0 % molar de magnesio dopado.LNcristais teñen similarresistencia fotorrefractiva,2,0% mol de circonio e 6.5 % mol de magnesio dopadoLNcristais teñen similarresistencia fotorrefractiva.Ademais, o coeficiente de segregación de hafnio, circonio e estaño no niobato de litio está máis próximo a 1, o que é máis favorable para a preparación de cristais de alta calidade.

LN de alta calidade desenvolvido por WISOPTIC [www.wisoptic.com]