En 1976, Zumsteg et al. utilizou un método hidrotermal para cultivar un fosfato de titanil de rubidio (RbTiOPO₄, denominado cristal RTP). O cristal RTP é un sistema ortorrómbico, mmgrupo de 2 puntos, P_{N / A21} grupo espacial, ten vantaxes amplas de gran coeficiente electro-óptico, alto limiar de dano luminoso, baixa condutividade, amplo rango de transmisión, non delicuescente, baixa perda de inserción e pódese usar para traballos de alta frecuencia de repetición (ata 100). kHz), etc. E non haberá marcas grises baixo unha forte irradiación láser. Nos últimos anos, converteuse nun material popular para a preparación de interruptores Q electro-ópticos, especialmente axeitado para sistemas láser de alta frecuencia de repetición..

As materias primas de RTP descompóñense cando se funden e non se poden cultivar cos métodos convencionais de extracción por fusión. Normalmente, os fluxos úsanse para reducir o punto de fusión. Debido á adición dunha gran cantidade de fluxo nas materias primas, iso’É moi difícil cultivar RTP con tamaño grande e de alta calidade. En 1990 Wang Jiyang e outros utilizaron o método de fluxo de autoservizo para obter un monocristal RTP incoloro, completo e uniforme de 15 mm×44 mm×34 mm, e realizou un estudo sistemático sobre o seu rendemento. En 1992 Oseledchiket al. utilizou un método de fluxo de autoservizo similar para cultivar cristais RTP cun tamaño de 30 mm×40 mm×60 mm e alto limiar de dano láser. En 2002 Kannan et al. utilizou unha pequena cantidade de MoO₃ (0,002 mol%) como fluxo no método de semente superior para cultivar cristais RTP de alta calidade cun tamaño duns 20 mm. En 2010, Roth e Tseitlin utilizaron sementes de dirección [100] e [010], respectivamente, para cultivar RTP de gran tamaño mediante o método da semente superior.

En comparación cos cristais KTP cuxos métodos de preparación e propiedades electro-ópticas son similares, a resistividade dos cristais RTP é de 2 a 3 ordes de magnitude máis alta (10⁸ Ω·cm), polo que os cristais RTP poden usarse como aplicacións de conmutación EO Q sen problemas de danos electrolíticos. En 2008 Shaldinet al. utilizou o método de semente superior para cultivar un cristal RTP dun só dominio cunha resistividade de aproximadamente 0,5×10¹² Ω·cm, o que é moi beneficioso para os interruptores EO Q con maior apertura clara. En 2015 Zhou Haitaoet al. informou de que os cristais RTP cunha lonxitude do eixe a superior a 20 mm foron cultivadas por método hidrotermal e a resistividade foi de 10¹¹~10¹² Ω·cm. Dado que o cristal RTP é un cristal biaxial, é diferente do cristal LN e do cristal DKDP cando se usa como interruptor EO Q. Un RTP do par debe ser rotado 90°na dirección da luz para compensar a birrefringencia natural. Este deseño non só require unha elevada uniformidade óptica do propio cristal, senón que tamén require que a lonxitude dos dous cristais estea o máis próxima posible, para adquirir unha maior relación de extinción do interruptor Q.

Como excelente EO Interruptor Qing material con alta frecuencia de repetición, cristal RTPs suxeito á limitación de tamaño que non é posible para grandes abertura clara (a apertura máxima dos produtos comerciais é de só 6 mm). Polo tanto, a preparación de cristais RTP con tamaño grande e alta calidade así como o correspondente técnica de Pares RTP aínda precisa gran cantidade de traballo de investigación.